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產(chǎn)品中心
產(chǎn)品詳情

  • 產(chǎn)品名稱：SAMCO用于研發(fā)的液體源 CVD? 設(shè)備

  • 產(chǎn)品型號：
  • 產(chǎn)品廠商：SAMCO薩姆肯
  • 產(chǎn)品價格：0
  • 折扣價格：0
  • 產(chǎn)品文檔：
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簡單介紹：
PD-100ST 是一種低溫、高速等離子CVD設(shè)備，用于通過 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液體材料。
詳情介紹：

概述

PD-100ST 是一種低溫、高速等離子CVD設(shè)備，用于通過 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液體材料。 獨特的自偏置方法可實現(xiàn)從薄膜到厚膜的低應(yīng)力高質(zhì)量氧化硅膜的沉積。 它是支持 ±4 英寸的研發(fā)設(shè)備。

特點

緊湊設(shè)計

專為直徑高達 ±4 英寸的晶圓而設(shè)計，采用緊湊的設(shè)備設(shè)計，節(jié)省空間。

高速沉積和應(yīng)力控制

采用獨特的自偏置方法，可在100nm/min以上的高速、低應(yīng)力下進行成膜。

低溫沉積

可在 80°C 的低溫下沉積。

階梯覆蓋性優(yōu)異的成膜

使用液體源 TEOS 的 LSCVD® 方法可實現(xiàn)具有出色步進覆蓋和嵌入特性的沉積。

控制折射率

通過添加 Ge、P 和 B 液體源，可以控制折射率。

應(yīng)用示例

SAW 器件的溫度補償膜和鈍化膜

MEMS 面罩和氧化膜犧牲層

3D 封裝中 TSV（Si 通孔）側(cè)壁的絕緣膜

光波導(dǎo)的核心層和包層形成

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